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　Marketwired 2014年7月8日美國加州舊金山/

中國傳媒聯(lián)盟 據(jù) 明通新聞專線/——
 

　　面向半導(dǎo)體行業(yè)提供創(chuàng)新的晶圓制造設(shè)備和服務(wù)的全球主要供應(yīng)商科林研發(fā)(Lam Research Corp.)(納斯達克股票代碼：LRCX)今天宣布為其原子層沉積(ALD)設(shè)備組合增加了原子層蝕刻(ALE)功能。為2300(R) Kiyo(R) F系列導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)新增加的ALE功能為新一代晶圓工藝技術(shù)提供了原子級的誤差控制能力。科林研發(fā)還擁有用于介電薄膜ALD的VECTOR(R) ALD Oxide產(chǎn)品和用于鎢金屬薄膜ALD的ALTUS(R)系統(tǒng)，這些產(chǎn)品有助于半導(dǎo)體行業(yè)向原子級芯片制造技術(shù)轉(zhuǎn)型。
 

　　隨著制程尺度的不斷縮小和新器件架構(gòu)的引入，在制造過程中控制工藝誤差變得越來越具有挑戰(zhàn)性。展望新一代技術(shù)規(guī)格，制程尺寸的誤差很快將達到只有幾個原子大小。此外，器件的深寬比也在不斷擴大，圖形也越來越復(fù)雜。對大多數(shù)高級結(jié)構(gòu)而言，常規(guī)等離子體蝕刻和沉積工藝已無法滿足它們的工藝要求，必須尋找新的方法。ALE和ALD提供了一個解決方案，它采用多步工藝循環(huán)，每次沉積或除掉幾個原子層，以此確保精確的控制。不過，該解決方案的難點是，如何提供足夠高的生產(chǎn)率，以使這些工藝適合成本敏感的生產(chǎn)過程。
 

　　科林研發(fā)為2300 Kiyo F系列導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)增加的ALE功能為生產(chǎn)過程提供了所需的生產(chǎn)率和技術(shù)。該產(chǎn)品利用反應(yīng)器中的氣體快速開關(guān)和高級等離子體技術(shù)提高生產(chǎn)率，同時在高深寬比(深而窄)的制程中利用動態(tài)射頻偏壓進行定向蝕刻。2300 Kiyo F系列系統(tǒng)是科林研發(fā)市場領(lǐng)先的Kiyo設(shè)備組合中的最新產(chǎn)品，它憑借對稱的反應(yīng)室設(shè)計、先進的靜電夾頭技術(shù)和獨立的工藝優(yōu)化功能，提供了卓越的一致性和可重復(fù)性。
 

　　最新發(fā)布的VECTOR ALD Oxide系統(tǒng)可沉積介電薄膜，用作FinFET結(jié)構(gòu)和硅通孔(TSV)結(jié)構(gòu)所需的襯墊和隔片，以及多重曝光方案所用的隔片。該系統(tǒng)通過原子級控制技術(shù)縮小誤差，而且即使在非常具有挑戰(zhàn)性的高深寬比制程中也能沉積高保形ALD薄膜。VECTOR ALD Oxide系統(tǒng)還能提供和其他系統(tǒng)相當或更好的生產(chǎn)率，具有總體擁有成本優(yōu)勢。該系統(tǒng)還具有單晶圓工藝的循環(huán)時間優(yōu)勢。
 

　　科林研發(fā)行業(yè)領(lǐng)先的ALTUS產(chǎn)品系列是鎢薄膜生產(chǎn)的基準，已多年用于鎢和氮化鎢合金的原子層沉積。它采用專利的沉積技術(shù)和系統(tǒng)架構(gòu)，可以沉積具有低電阻率的高保形金屬薄膜。ALTUS ALD工藝還能完全填充高級存儲器與邏輯應(yīng)用中常見的凹入結(jié)構(gòu)。
 

　　科林研發(fā)高級副總裁兼首席技術(shù)官Dave Hemker表示：“半導(dǎo)體行業(yè)在不斷積極縮小器件尺寸，而這需要新的制造方法——特別是在蝕刻和沉積工藝方面。通過持續(xù)創(chuàng)新，我們用新型原子級工藝技術(shù)滿足了這方面的需求，為芯片制造商提供了制造新一代器件所需的高級技術(shù)、工藝控制和生產(chǎn)能力。”
 

　　前瞻性聲明
 

　　本新聞稿包含的非歷史事實的陳述屬于前瞻性陳述，受1995年《私人證券訴訟改革法案》的安全港條款約束。這類前瞻性陳述包括但不限于以下方面的陳述：科林研發(fā)的產(chǎn)品表現(xiàn)，如滿足原子級工藝技術(shù)的生產(chǎn)率和技術(shù)需求的能力，為客戶應(yīng)用減小誤差的能力和相比于其他方法或設(shè)備更好的工藝結(jié)果，以及科林研發(fā)滿足客戶需求的能力和為新一代器件制造提供技術(shù)、工藝控制和生產(chǎn)能力的能力。這類前瞻性陳述基于當前的信心和預(yù)期，在條件、重要性、價值和效果等方面存在風險、不確定性和變化，包括科林研發(fā)在10-K表年報的“風險因素”章節(jié)和科林研發(fā)向美國證券交易委員會呈報的其他文件中所討論的內(nèi)容。在條件、重要性、價值和效果方面存在的這些風險、不確定性和變化可能導(dǎo)致實際結(jié)果和本文中預(yù)測的結(jié)果存在實質(zhì)性的差異。提醒讀者注意不要過度依賴這些前瞻性陳述，這些前瞻性陳述只是截至本文發(fā)布日之前做出的。我們不承擔為了反映本文發(fā)布后發(fā)生的情況而修訂這些前瞻性陳述的義務(wù)。
 

　　關(guān)于科林研發(fā)
 

　　科林研發(fā)(Lam Research Corp.)(納斯達克股票代碼：LRCX)是向半導(dǎo)體行業(yè)提供創(chuàng)新的晶圓制造設(shè)備和服務(wù)的全球供應(yīng)商。科林研發(fā)市場領(lǐng)先的沉積、蝕刻、剝離和晶圓清洗解決方案有助于客戶成功開發(fā)粗細只有砂礫千分之一的芯片制程，并獲得面積更小、速度更快、功耗更低的芯片。科林研發(fā)憑借合作、持續(xù)創(chuàng)新和恪守承諾，正在向原子級技術(shù)轉(zhuǎn)型，幫助客戶塑造半導(dǎo)體技術(shù)的未來。科林研發(fā)總部位于加利福尼亞州弗里蒙特，是標普500指數(shù)成分股公司，公司的普通股在納斯達克全球精選市場上市，股票代碼LRCX。了解詳情，請訪問：http://www.lamresearch.com 。
 

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